很多人會(huì)紫外LED芯片為什么能夠發(fā)光,它到底是如何實(shí)現(xiàn)的呢?下面小編給大家簡(jiǎn)單介紹一下吧。
外延生長(zhǎng)
紫外LED芯片一般都是用MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積)來長(zhǎng)外延片。
首先把藍(lán)寶石或氮化鋁基板放進(jìn)反應(yīng)腔,高溫下讓各種氣體在上面一層一層長(zhǎng)成你要的結(jié)構(gòu)。
UVA(365~405nm)比較好長(zhǎng),用的是InGaN 系材料
UVB、UVC(300nm以下)就難多了,用的是AlGaN 系材料,鋁含量越高,越難搞。

光刻
外延片不能直接用,需要經(jīng)過光刻,就是用光刻膠把圖案畫上去。
紫外LED由于材料差,電流擴(kuò)散本來就不如藍(lán)光,所以光刻設(shè)計(jì)比可見光LED更挑剔。
刻蝕
最關(guān)鍵的就是 ICP 刻蝕(等離子刻蝕),把部分 P 層刻開,讓電極能接觸到更深層。
尤其是UVC 必須要凹槽刻蝕,因?yàn)殇X含量太高,P 層導(dǎo)電性差,必須刻掉一部分結(jié)構(gòu)。

刻蝕刻深一點(diǎn),電流擴(kuò)散好一點(diǎn)
刻淺一點(diǎn),發(fā)光效率好一點(diǎn)
金屬電極制作
紫外LED的電極不是隨便畫兩個(gè)點(diǎn),它得能承受高溫、抗腐蝕,還不能吸收紫外光。
劃片
用激光劃片(UV 激光或綠光激光),把整片切成:
10x10 mil; 20x20 mil;30x30 mil或更大的 45mil、55mil UVC
切得不好,芯片邊緣容易爆裂,良率直線掉。
以上給大家介紹的這些就是紫外LED芯片的生長(zhǎng)工藝,如果您還有想了解的話,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們。
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