很多人會(huì)紫外LED芯片為什么能夠發(fā)光，它到底是如何實(shí)現(xiàn)的呢？下面小編給大家簡(jiǎn)單介紹一下吧。

外延生長(zhǎng)

紫外LED芯片一般都是用MOCVD（有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積）來長(zhǎng)外延片。

首先把藍(lán)寶石或氮化鋁基板放進(jìn)反應(yīng)腔，高溫下讓各種氣體在上面一層一層長(zhǎng)成你要的結(jié)構(gòu)。

UVA（365~405nm）比較好長(zhǎng)，用的是InGaN 系材料

UVB、UVC（300nm以下）就難多了，用的是AlGaN 系材料，鋁含量越高，越難搞。

光刻

外延片不能直接用，需要經(jīng)過光刻，就是用光刻膠把圖案畫上去。

紫外LED由于材料差，電流擴(kuò)散本來就不如藍(lán)光，所以光刻設(shè)計(jì)比可見光LED更挑剔。

刻蝕

最關(guān)鍵的就是 ICP 刻蝕（等離子刻蝕），把部分 P 層刻開，讓電極能接觸到更深層。

尤其是UVC 必須要凹槽刻蝕，因?yàn)殇X含量太高，P 層導(dǎo)電性差，必須刻掉一部分結(jié)構(gòu)。

刻蝕刻深一點(diǎn)，電流擴(kuò)散好一點(diǎn)

刻淺一點(diǎn)，發(fā)光效率好一點(diǎn)

金屬電極制作

紫外LED的電極不是隨便畫兩個(gè)點(diǎn)，它得能承受高溫、抗腐蝕，還不能吸收紫外光。

劃片

用激光劃片（UV 激光或綠光激光），把整片切成：

10x10 mil； 20x20 mil；30x30 mil或更大的 45mil、55mil UVC

切得不好，芯片邊緣容易爆裂，良率直線掉。

以上給大家介紹的這些就是紫外LED芯片的生長(zhǎng)工藝，如果您還有想了解的話，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們。